R6507KNJ
650V 7A TO-263, Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter

Der R6507KNJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

Data Sheet Kaufen *
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | R6507KNJTL
Status | Aktiv
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-263 (D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

650

Drain Current ID[A]

7

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.605

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.605

Total gate charge Qg[nC]

14.5

Power Dissipation (PD)[W]

78

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ.)[ns]

320

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K8060

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

Find Similar

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Ultra fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant