R6509KNJ
650V 9A TO-263, Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter
R6509KNJ
650V 9A TO-263, Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter
Der R6509KNJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
650
Drain Current ID[A]
9
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.53
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.53
Total gate charge Qg[nC]
16.5
Power Dissipation (PD)[W]
94
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
360
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K8059
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.0x10.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Ultra fast switching speed
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
Produktvideo & Katalog
