R6002ENH
Nch 600V 2A Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
R6002ENH
Nch 600V 2A Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des Rauschens, wie z.B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
2.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.8
Total gate charge Qg[nC]
6.5
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
240
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K7412
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
Produktvideo & Katalog
