R6009ENX
10 V Antriebs-Nch-MOSFET
R6009ENX
10 V Antriebs-Nch-MOSFET
MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-220FP
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
9
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.5
Total gate charge Qg[nC]
23
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
380
Mounting Style
Leaded type
Bare Die Part Number
Available: K7409
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.8)
Eigenschaften:
・ Low on-resistance.・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
