R6009ENX
10 V Antriebs-Nch-MOSFET
R6009ENX
R6009ENX
10 V Antriebs-Nch-MOSFET
MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
TO-220FM
Package Size [mm]
10.1x15.1 (t=4.8)
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
9.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.5
Total gate charge Qg[nC]
23.0
Power Dissipation (PD)[W]
40.0
Drive Voltage[V]
10.0
Trr (Typ.)[ns]
380
Mounting Style
Leaded type
Bare Die Part Number
Available: K7409
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
