R6009ENX
10 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R6009ENXC7G
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-220FM
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-220FM

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

9

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.5

Total gate charge Qg[nC]

23

Power Dissipation (PD)[W]

40

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ.)[ns]

380

Mounting Style

Leaded type

Bare Die Part Number

Available: K7409

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x15.1 (t=4.8)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
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