Nch 600V 30A Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen - R6030ENZ (Neues Produkt)

Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des Rauschens, wie z.B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | R6030ENZC17
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-3PF
Einheitenmenge | 300
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-3PF

Package Size[mm]

26.5x15.5 (t=5.5)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

30.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.115

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.115

Total gate charge Qg[nC]

85.0

Power Dissipation (PD)[W]

120.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

660

Mounting Style

Leaded type

Bare Die Part Number

Available: K7407

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant