R6504ENJ
650V 4A TO-263 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
R6504ENJ
650V 4A TO-263 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
Der R6504ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
650
Drain Current ID[A]
4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.955
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.955
Total gate charge Qg[nC]
15
Power Dissipation (PD)[W]
58
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
270
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K7461
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.0x10.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
Produktvideo & Katalog
