R6507END3 (Neues Produkt)
650V 7A TO-252 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen

Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des Rauschens, wie z.B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R6507END3TL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package Size [mm]

6.6x9.9 (t=2.4)

JEITA Package

SC-63

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

650

Drain Current ID[A]

7.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.605

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.605

Total gate charge Qg[nC]

20.0

Power Dissipation (PD)[W]

78.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

360

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant