650V 11A TO-220FM Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen - R6511ENX

Der R6511ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | R6511ENX
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-220FM
Einheitenmenge | 500
Minimale Gehäusemenge | 100
Gehäusetyp | Bulk
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-220FM

Package Size[mm]

15.1x10.1 (t=4.6)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

650

Drain Current ID[A]

11.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.36

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.36

Total gate charge Qg[nC]

32.0

Power Dissipation (PD)[W]

53.0

Drive Voltage[V]

10.0

Mounting Style

Leaded type

Bare Die Part Number

Available: K7453

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant