R8005ANJ
Nch 800V 5A Leistungs-MOSFET

Der R8005ANJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R8005ANJGTL
Status | Aktiv
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-263 (D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

800

Drain Current ID[A]

5

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1.6

Total gate charge Qg[nC]

20

Power Dissipation (PD)[W]

120

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ.)[ns]

330

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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Eigenschaften:

1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.

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