R8008ANJ
Nch 800V 8A Leistungs-MOSFET
R8008ANJ
Nch 800V 8A Leistungs-MOSFET
Der R8008ANJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
800
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.79
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.79
Total gate charge Qg[nC]
38
Power Dissipation (PD)[W]
195
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
625
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
13.1x10.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.
Produktvideo & Katalog
