R8008ANJ
Nch 800V 8A Leistungs-MOSFET
R8008ANJ
R8008ANJ
Nch 800V 8A Leistungs-MOSFET
Der R8008ANJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
800
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.79
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.79
Total gate charge Qg[nC]
38
Power Dissipation (PD)[W]
195
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ.)[ns]
625
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
10.1x13.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.
