EM6K6
1,8-V-Dual-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
EM6K6
1,8-V-Dual-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
MOSFETs vom komplexen Typ (N+N) sind als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand durch Mikroprozesstechnologien gefertigt, die für eine breite Palette von Anwendungen nützlich sind. Breites Spektrum an kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen, um verschiedene Anforderungen des Marktes zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.3
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.8
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
Eigenschaften:
· Niederspannungs- (1,8V) Ansteuertyp· Dual-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
