QS8J4
-30V Pch+Pch Small Signal MOSFET

Komplexe MOSFETs (P+P) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS8J4TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size [mm]

3x2.8 (t=0.85)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Pch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-4.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.06

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.055

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.06

Total gate charge Qg[nC]

8.4

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

-4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-Ｖ-Motor
· P-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
  • Calculation of Power Dissipation in Switching Circuit
  • Method for Monitoring Switching Waveform
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