Models
- QS8J4 SPICE Model
- QS8J4 SPICE Thermal Model
- How to Create Symbols for PSpice Models
Komplexe MOSFETs (P+P) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.
Grade
Standard
Package Code
TSMT8
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-4.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.06
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.06
Total gate charge Qg[nC]
8.4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4.0
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150