QS8M51
100V Nch+Pch Small Signal MOSFET
QS8M51
100V Nch+Pch Small Signal MOSFET
Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
2
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.26
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.24
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.26
Total gate charge Qg[nC]
4.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
· 4-Ｖ-Motor· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
