QS8M51
100V Nch+Pch Small Signal MOSFET

Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS8M51TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size [mm]

3x2.8 (t=0.85)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

2.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.26

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.24

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.26

Total gate charge Qg[nC]

4.7

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-V-Motor
· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform