RD3L08BGN
Nch 60V 80A Leistungs-MOSFET

Der RD3L08BGN ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.

Data Sheet Kaufen *
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | RD3L08BGNTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package Size [mm]

6.6x10.0 (t=2.3)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

80

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0057

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0042

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0057

Total gate charge Qg[nC]

38

Power Dissipation (PD)[W]

119

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Find Similar

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power small mold package (TO-252)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • Halogen free
  • 100% Rg and UIS tested