RF4L055GN
Nch 60V 5,5A Leistungs-MOSFET

Der RF4L055GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RF4L055GNTCR
Status | Aktiv
Gehäuse | HUML2020L8 (Single)
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

DFN2020-8S

Package Size [mm]

2x2 (t=0.65)

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

5.5

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.043

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.031

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.043

Total gate charge Qg[nC]

4.1

Power Dissipation (PD)[W]

2.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・ Low on - resistance.
・ High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free