RJ1G12BGN
Nch 40V 120A Leistungs-MOSFET

Der RJ1G12BGN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RJ1G12BGNTLL
Status | Aktiv
Gehäuse | LPTL
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-263AB

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

40

Drain Current ID[A]

120

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.00154

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.00138

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.00154

Total gate charge Qg[nC]

82

Power Dissipation (PD)[W]

178

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4728

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x15.1 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power small mold package(LPTL)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • 100% UIS tested
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