Nch 40V 120A Leistungs-MOSFET - RJ1G12BGN
Der RJ1G12BGN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Schaltanwendungen.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
×
Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
TO-263AB
Package Size[mm]
10.1x15.1 (t=4.7)
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
120.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.00154
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.00138
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.00154
Total gate charge Qg[nC]
82.0
Power Dissipation (PD)[W]
178.0
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4728
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High power small mold package(LPTL)
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- 100% UIS tested