RQ3G150GN
Nch-Leistungs-MOSFET 40 V 39 A

RQ3G150GN ist ein mittelstarkes MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltung und den DCDC-Wandler.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3G150GNTB
Status | Aktiv
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

40

Drain Current ID[A]

39.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0064

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0051

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0064

Total gate charge Qg[nC]

11.6

Power Dissipation (PD)[W]

20.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4711

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Kleiner Durchlasswiderstand
· Hochleistungs-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
· Halogenfrei
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