RY7P250BM (Neues Produkt)
Nch 100V 300A, DFN8080-8S, Wide-SOA Leistungs-MOSFET
RY7P250BM (Neues Produkt)
Nch 100V 300A, DFN8080-8S, Wide-SOA Leistungs-MOSFET
Der RY7P250BM ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse. Er eignet sich für Hot-Swap-Controller (HSC).
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN8080-8S
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
300
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00143
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00143
Total gate charge Qg[nC]
170
Power Dissipation (PD)[W]
340
Drive Voltage[V]
10
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Geringer Durchlasswiderstand
- Hochleistungsgehäuse (DFN8080)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Wide-SOA
Produktvideo & Katalog
