ROHM Product Detail

RYC002N05
0,9 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RYC002N05T316
Status | Aktiv
Gehäuse | SST3
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-236AB (SOT-23)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

50

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)

3

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)

2.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)

2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

3

Power Dissipation (PD)[W]

0.2

Drive Voltage[V]

0.9

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.4x2.9 (t=1.2)

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Eigenschaften:

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Produktvideo & Katalog

 
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