RYC002N05
0,9V-Ansteuerung N-Kanal-MOSFET
RYC002N05
0,9V-Ansteuerung N-Kanal-MOSFET
MOSFETs werden mit Hilfe von Mikroprozesstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand zu erzielen. Das breite Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Typen, die den Anforderungen des Marktes entsprechen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-236AB (SOT-23)
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Drive Voltage[V]
0.9
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.4x2.9 (t=1.2)
Eigenschaften:
· Niederspannungsansteuerung (0,9V)· Kleinsignal-MOSFET mit N-Kanal
· Kleines SMD-Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
