Der BD7682FJ-LB ist ein quasi-resonant gesteuerter DC/DC-Wandler, optimiert für Produkte mit elektrischer Steckdose. Der quasi-resonante Betrieb ermöglicht Soft-Schaltung und hilft die EMI zu verringern, wobei ein externer MOSFET-Regler und ein Stromerfassungswiderstand ein flexibleres Design bieten. Weitere Merkmale sind eine Brown-Ausgangsfunktion, die Eingangsspannung zwecks Systemoptimierung überwacht und ein Burst-Modus, der den Strom während bei leichter Belastung reduziert. Mehrere Schutzfunktionen bieten mehr Zuverlässigkeit, darunter Soft-Start, Burst-Modus, Strombegrenzung pro Zyklus und Überspannungs-/Überlastschutz. Zur Optimierung des SiC MOSFET-Treibers ist ein Gate-Klemmenschaltkreis integriert.
ROHM Empfohlene Produkte
SCT2H12NZ(1700V SiC-MOSFET) und BD7682FJ-LB (AC/DC-Wandler IC) Evaluationsplatine
Anwendungshinweis (PDF: 1,9 MB), Präsentationsdokument (PDF: 1,0 MB)
FET
-
Controller Type
QR
Vin1(Min.)[V]
15.0
Vin1(Max.)[V]
27.5
SW frequency(Max.)[kHz]
120.0
Vcc OVP
Latch
BR PIN
Yes
Channel
1
Light Load mode
Yes
EN
No
Soft Start
Yes
Thermal Shut-down
Yes
Under Voltage Lock Out
Yes
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
105
SiC rückt dank seiner überlegenen Materialeigenschaften gegenüber Silizium als ein Verbindungshalbleiter der nächsten Generation in den Fokus des Interesses.
Bei Hilfsstromversorgungen, die in Hochspannungs- und Hochleistungsindustrieanlagen Einsatz finden, werden in der Regel Silizium-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) mit Hochspannung (>1000V) verwendet. Durch ihren Austausch durch SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren kann die Wärmeerzeugung erheblich reduziert werden, wodurch Außenteile wie Kühlkörper überflüssig werden.
ROHM hat vor kurzem seine beachtliche Produktpalette erweitert. Neu im Angebot sind 1700V SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren zusammen mit einer Evaluierungskarte, mit der Vorgänge wie Leistungsüberprüfung und Anwendungsentwicklung vereinfacht werden.
Als umfangreicher Hersteller von Halbleitern bietet ROHM nun ICs, die für den Einsatz in SiC-Geräten optimiert sind, einschließlich der BD7682FJ-LB DC/DC Wandler-Steuer-IC, welche für eine Leistungsmaximierung der SiC-Hochleistungs-MOSFETs bestimmt sind, wie z.B. SCT2H12NZ. Ebenso erhältlich ist nun eine Evaluierungskarte (BD7682FJ-LB-EVK-402), die beide Produkte miteinander verbindet.
Verglichen mit 1500V Silizium-MOSFETs, die bei Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen verwendet werden, bieten die hochleistenden SiC-MOSFETs aus dem Hause ROHM 8x geringere On-Widerstandswerte (1.15Ω) sowie eine Stehspannung in Höhe von 1700V. Zusätzlich bietet das Paket TO-3PFM die erforderliche Kriechstrecke (d.h. die gemessene Entfernung entlang der Oberfläche des Isolators), die für Industrieanlagen vorgeschrieben ist.
Durch den Einsatz der BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuer-IC wird der Wirkungsgrad um bis zu 6% optimiert und gleichzeitig die erzeugte Wärme reduziert. Hierdurch lässt sich die Größe der wärmeableitenden Komponenten reduzieren.
| Teilenr. | Gehäuse | Polarität | VDSS | ID | PD (Tc=25℃) |
RDS(ON) VGS=18V |
Qg VGS=18V |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NEW SCT2H12NZ |
|
Nch | 1700V | 3,7A | 35W | 1.15Ω (Typ.) |
14nC (Typ.) |
| ☆SCT2H12NY |
|
4A | 44W | ||||
| ☆SCT2750NY | 5,9A | 57W | 0.75Ω (Typ.) |
17nC (Typ.) |
☆：In Entwicklung
The AUX board is able to operate with both AC and DC input voltages. It is therefore possible to derive the power directly from the grid or from the system DC link
The BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.
BD7682FJ-LB-EVK-402 evaluation board outputs 24 V voltage from the input of 300 Vdc to 900 Vdc. The output current supplies up to 1 A. The BD768xFJ-LB series are Quasi-Resonant switching AC/DC converter for driving SiC (Silicon Carbide) MOSFET. Using external switching MOSFET and current detection resistors provides a lot of flexibility in the design.
TO-3PFM