BD7682FJ-LB
Rauscharmer, quasi-resonanter DC/DC-Kontrollwandler-IC für AC/DC-Wandler

Der BD7682FJ-LB ist ein quasi-resonant gesteuerter DC/DC-Wandler, optimiert für Produkte mit elektrischer Steckdose. Der quasi-resonante Betrieb ermöglicht Soft-Schaltung und hilft die EMI zu verringern, wobei ein externer MOSFET-Regler und ein Stromerfassungswiderstand ein flexibleres Design bieten. Weitere Merkmale sind eine Brown-Ausgangsfunktion, die Eingangsspannung zwecks Systemoptimierung überwacht und ein Burst-Modus, der den Strom während bei leichter Belastung reduziert. Mehrere Schutzfunktionen bieten mehr Zuverlässigkeit, darunter Soft-Start, Burst-Modus, Strombegrenzung pro Zyklus und Überspannungs-/Überlastschutz. Zur Optimierung des SiC MOSFET-Treibers ist ein Gate-Klemmenschaltkreis integriert.

ROHM Empfohlene Produkte

SCT2H12NZ(1700V SiC-MOSFET) und BD7682FJ-LB (AC/DC-Wandler IC) Evaluationsplatine
Anwendungshinweis (PDF: 1,9 MB), Präsentationsdokument (PDF: 1,0 MB)

Produktdetails

 
Teilenummer | BD7682FJ-LBE2
Status | Empfohlen
Gehäuse | SOP-J8
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Frequency Reduction Function

Yes

Current Detection Resistors

External

Dynamic Over Current Detection

No

FB OLP

Auto Restart

ZT OVP

Latch

BR UVLO

Yes

External LATCH Function

No

AC Monitor Function

No

VH Terminal UVLO

No

FET

External

Controller Type

QR

Vin1(Min.)[V]

15.0

Vin1(Max.)[V]

27.5

SW Frequency (Max.)[kHz]

120.0

VCC OVP

Latch

BR PIN

Yes

Channel

1

Light Load mode

Yes

EN

No

Soft Start

Yes

Thermal Shut-down

Yes

Under Voltage Lock Out

Yes

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

105

Eigenschaften:

  • Pin 8 : SOP-J8 Package (6.00mm × 4.90mm : 1.27mm pitch [TYP] )
  • Quasi-resonant type (low EMI)
  • Frequency reduction mode
  • Low current consumption (19µA), during standby
  • Low current consumption when no load (burst operation when light load)
  • Maximum frequency (120kHz)
  • CS Pin Leading-Edge Blanking
  • VCC UVLO (Under Voltage Drop Out protection)
  • VCC OVP (Over Voltage Protection)
  • Per-cycle over-current protection circuit
  • Soft start
  • ZT trigger mask function
  • Voltage protection function (brown out)
  • ZT OVP (Over Voltage Protection)
  • Gate-clamp circuit

Unterstützende Informationen

 

Übersicht

package

SiC rückt dank seiner überlegenen Materialeigenschaften gegenüber Silizium als ein Verbindungshalbleiter der nächsten Generation in den Fokus des Interesses.
Bei Hilfsstromversorgungen, die in Hochspannungs- und Hochleistungsindustrieanlagen Einsatz finden, werden in der Regel Silizium-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) mit Hochspannung (>1000V) verwendet. Durch ihren Austausch durch SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren kann die Wärmeerzeugung erheblich reduziert werden, wodurch Außenteile wie Kühlkörper überflüssig werden.
ROHM hat vor kurzem seine beachtliche Produktpalette erweitert. Neu im Angebot sind 1700V SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren zusammen mit einer Evaluierungskarte, mit der Vorgänge wie Leistungsüberprüfung und Anwendungsentwicklung vereinfacht werden.

Evaluierungskarte

Als umfangreicher Hersteller von Halbleitern bietet ROHM nun ICs, die für den Einsatz in SiC-Geräten optimiert sind, einschließlich der BD7682FJ-LB DC/DC Wandler-Steuer-IC, welche für eine Leistungsmaximierung der SiC-Hochleistungs-MOSFETs bestimmt sind, wie z.B. SCT2H12NZ. Ebenso erhältlich ist nun eine Evaluierungskarte (BD7682FJ-LB-EVK-402), die beide Produkte miteinander verbindet.

Stromversorgung-Evaluierungskarteï BD7682FJ-LB-EVK-402ï

Hauptmerkmale 1:Optimiert für Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen.

Verglichen mit 1500V Silizium-MOSFETs, die bei Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen verwendet werden, bieten die hochleistenden SiC-MOSFETs aus dem Hause ROHM 8x geringere On-Widerstandswerte (1.15Ω) sowie eine Stehspannung in Höhe von 1700V. Zusätzlich bietet das Paket TO-3PFM die erforderliche Kriechstrecke (d.h. die gemessene Entfernung entlang der Oberfläche des Isolators), die für Industrieanlagen vorgeschrieben ist.

Vergleich von On-Widerstandswerten Anwendungsbeispiel

Hauptmerkmale 2:Durch die Kombination mit dem geeigneten IC von ROHM erzielen Sie eine sogar noch höhere Effizienz

AC/DC-Wandler - Effizienzvergleich: Si gegenüber SiC

Durch den Einsatz der BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuer-IC wird der Wirkungsgrad um bis zu 6% optimiert und gleichzeitig die erzeugte Wärme reduziert. Hierdurch lässt sich die Größe der wärmeableitenden Komponenten reduzieren.

Produktpalette

Teilenr. Gehäuse Polarität VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
NEW SCT2H12NZ

TO-3PFMTO-3PFM

Nch 1700V 3,7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
☆SCT2H12NY

TO-3PFMTO-268-2L
In
Bearbeitung

4A 44W
☆SCT2750NY 5,9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆:In Entwicklung

Evaluation
Board

 
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-EVK-301
    • The AUX board is able to operate with both AC and DC input voltages. It is therefore possible to derive the power directly from the grid or from the system DC link

  • User's Guide Buy
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-LB-EVK-302
    • The BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.

  • User's Guide Buy
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-LB-EVK-402
    • BD7682FJ-LB-EVK-402 evaluation board outputs 24 V voltage from the input of 300 Vdc to 900 Vdc. The output current supplies up to 1 A. The BD768xFJ-LB series are Quasi-Resonant switching AC/DC converter for driving SiC (Silicon Carbide) MOSFET. Using external switching MOSFET and current detection resistors provides a lot of flexibility in the design.

  • User's Guide Buy

Ressourcen entwerfen

 

Unterlagen

Quick Start Guide

User's Guide

  • BD7682FJ-EVK-402 Evaluation Board User's Guide
  • 100 W Auxiliary Power Supply Eval Board BD7682FJ-LB-EVK-302
  • BD7682FJ-EVK-301 Evaluation Board User's Guide

Application Note

  • BD7682FL-LB Application Note
  • Design Considerations on the Gate Driving Circuit of Quasi-Resonant Controller for 1700V SiC MOSFET

Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
  • Impedance Characteristics of Bypass Capacitor

Thermal Design

  • Method for Calculating Junction Temperature from Transient Thermal Resistance Data
  • Thermal Resistance

Design Tools

2D/3D/CAD

  • BD7682FJ-LB Footprint / Symbol
  • SOP-J8 Footprint / Symbol
  • SOP-J8 3D STEP Data

Packaging & Qualität

Package Information

  • Package Information
  • Anti-Whisker formation

Manufacturing Data

  • Factory Information

Environmental Data

  • UL94 Flame Classifications of Mold Compound
  • Compliance with the ELV directive
  • REACH SVHC Non-use Declaration
  • RoHS Comission Delegated Directive

Export Information

  • The Export Control Order
  • Export Administration Regulations(EAR)