650 V Nch SiC Trench MOSFET im 4-Pin-Gehäuse - SCT3030AR (Neues Produkt)

Der SCT3030AR ist SiC-MOSFET mit Trench-Gate-Struktur, ideal für Server-Netzteile, Solarwechselrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Ein 4-Pin-Gehäuse, das die Stromquellenklemme und die Treiberquellenklemme trennt, verbessert die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | SCT3030ARC14
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-247-4L
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

650

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

30.0

Drain Current[A]

70.0

Total Power Dissipation[W]

262

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • High efficiency 4pin package
  • Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'