ROHM Generation 4 SiC MOSFETs

Unsere neuesten SiC-MOSFETs der Generation 4 bieten einen branchenführend niedrigen ON-Widerstand mit Verbesserungen bei der Kurzschlussfestigkeit. Zu den weiteren Merkmalen gehören niedrige Schaltverluste und die Unterstützung von 15 V Gate-Source-Spannung, die zu weiteren Energieeinsparungen beitragen.

Merkmal

1.Industrieweit führender niedriger ON-Widerstand mit Verbesserung der Kurzschlussfestigkeit

Dennoch ist es ROHM mit den SiC-MOSFETs der Generation 4 gelungen, den ON-Widerstand im Vergleich zu herkömmlichen Produkten um 40 % zu senken, mit dabei die Kurzschlussfestigkeit zu Verbesserungen , und zwar durch Verbesserungen der Bauelementestruktur auf der Grundlage des ursprünglichen Double-Trench-Designs. Das Ergebnis: ein robustes Schalt-Leistungsbauelement mit dem branchenweit niedrigsten ON-Widerstand. (ROHM Februar 2022)

2.Reduzierte Schaltverluste durch deutliche Reduzierung der Parasitärkapazität

Die MOSFETs der Generation 4 von ROHM erreichen im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um 50 % geringeren Schaltverlust, indem sie die Gate-Drain-Kapazität (Cgd) erheblich reduzieren.

3.Unterstütztung der 15 V Gate-Source-Spannung ermöglicht größeres Anwendungsdesign

Im Gegensatz zur 18-V-Gate-Source-Spannung (Vgs), die bei den SiC-MOSFETs der 3. Generation und früher erforderlich war, unterstützen diese Produkte der Generation 4 einen flexibleren Gate-Spannungsbereich von 15-18 V, der das Design einer Gate-Treiberschaltung ermöglicht, die auch für IGBTs verwendet werden kann.

Switching loss comparison
On-resistance comparison

Anwendungsbeispiel: Antriebsumrichter

Kann der Stromverbrauch im Vergleich zu IGBT-Lösungen um 6 % gesenkt werden, indem der Wirkungsgrad vor allem im Bereich hoher Drehmomente und niedriger Drehzahlen deutlich verbessert wird, wenn die SiC-MOSFETs der Generation 4 in den Antriebsumrichtern eingesetzt werden (berechnet nach dem WLTC-Kraftstoffverbrauch Test, einem internationalen Standard).

Anwendungsbeispiel: Antriebsumrichter

 

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Evaluation board

Evaluation board
4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board

Die Evaluierungsboards der Serie P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001 wurden für SiC-MOSFETs der Generation 4 im TO-247N/TO-247-4L-Gehäuse entwickelt. Onboard-Gate-Treiber und Peripherieschaltungen reduzieren die Anzahl der für Design und Evaluierung erforderlichen Arbeitsstunden.

Evaluation board
Evaluation Board HB2637L-EVK-301

The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.

Evaluation board
EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test

Für die Verwendung mit dem ROHM Solution Simulator steht eine Simulationsschaltung zur Verfügung, die die Eigenschaften der SiC MOSFET Komponenten und des Evaluation Boards genau reproduziert. Damit können Peripherieschaltungen online entworfen und simuliert werden. (Registrierung bei MyROHM ist erforderlich)

Documents

White Paper

Application Note

Design model

Part Number Drain-source Voltage[V] Drain-source On-state Resistance
(Typ.(mΩ)		 Package SPICE
Model		 Thermal
Model		 PLECS
Model		 PCB
Library
SCT4045DE 750 45
TO-247N		 Available Available Available
SCT4026DE 26 Available Available Available
SCT4013DE 13 Available Available Available
SCT4062KE 1200 62 Available Available Available
SCT4036KE 36 Available Available Available
SCT4018KE 18 Available Available Available -
SCT4045DR 750 45
TO-247-4L		 Available Available Available
SCT4026DR 26 Available Available Available
SCT4013DR 13 Available Available Available
SCT4062KR 1200 62 Available Available Available
SCT4036KR 36 Available Available Available
SCT4018KR 18 Available Available Available
SCT4045DW7 750 45
TO-263-7L		 Available Available Available
SCT4026DW7 26 Available Available Available
SCT4013DW7 13 Available Available Available
SCT4062KW7 1200 62 Available Available Available
SCT4036KW7 36 Available Available Available
SCT4018KW7 18 Available Available Available

Simulations (Login Required)

TO-247N (3pin)

TO-247-4L (4pin)

 

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Evaluation Board

Category SiC Product Image Part No. User Guide Purchase
Board
SiC-MOS  Evaluation
Board		 SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N NEW
P04SCT4018KE-EVK-001		 User Guide
Product Specification		 Online
Distributors
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L NEW
P05SCT4018KR-EVK-001		 Online
Distributors
SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L P02SCT3040KR-EVK-001  User Guide
Product Specification		 Online
Distributors

Documents

White Paper

Application Note

Technical Articles

Schematic Design ＆ Verification

Thermal Design

Models ＆ Tools

Simulations (Login Required)

ROHM Solution Simulator is a new web-based electronic circuit simulation tool that can carry out a variety of simulations, from initial development that involves component selection and individual device verification to the system-level verification stage. This makes it possible to quickly and easily implement complete circuit verification of ROHM power devices and ICs, in simulation circuits under close to actual conditions, significantly reducing application development efforts.

TO-247N (3pin)

TO-247-4L (4pin)

Application

Topology

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