1200 V Nch SiC Trench MOSFET im 4-Pin-Gehäuse - SCT3105KR

Der SCT3105KR ist ein SiC-MOSFET mit einer Trench-Gate-Struktur, der für EV-Ladestationen, Solarwechselrichter, and Server-Stromversorgungen optimiert ist, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Ein neues 4-oliges Gehäuse wird verwendet, das die Leistungs- und Treiber-Source-Terminals trennt, wodurch eine Maximierung der Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung ermöglicht wird. Dadurch werden insbesondere die Verluste im ON-Betrieb verbessert, so dass die gesamten Ein- und Ausschaltverluste im Vergleich zum herkömmlichen 35-Pin Gehäuse (%p) um bis zu 3 % reduziert werden können.

Als Pionier und Branchenführer in der SiC-Technologie war ROHM der erste Anbieter, der Trench-Typ-MOSFETs in Massenproduktion herstellte, die den Wirkungsgrad weiter verbessern und gleichzeitig den Stromverbrauch im Vergleich zu bisherigen SiC-MOSFETs senken.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | SCT3105KRC14
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247-4L
Einheitenmenge | 240
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

105.0

Drain Current[A]

24.0

Total Power Dissipation[W]

134

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • High efficiency 4pin package
  • Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'