1200 V Nch SiC Trench MOSFET im 4-Pin-Gehäuse - SCT3105KR
Der SCT3105KR ist ein SiC-MOSFET mit einer Trench-Gate-Struktur, der für EV-Ladestationen, Solarwechselrichter, and Server-Stromversorgungen optimiert ist, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Ein neues 4-oliges Gehäuse wird verwendet, das die Leistungs- und Treiber-Source-Terminals trennt, wodurch eine Maximierung der Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung ermöglicht wird. Dadurch werden insbesondere die Verluste im ON-Betrieb verbessert, so dass die gesamten Ein- und Ausschaltverluste im Vergleich zum herkömmlichen 35-Pin Gehäuse (%p) um bis zu 3 % reduziert werden können.
Als Pionier und Branchenführer in der SiC-Technologie war ROHM der erste Anbieter, der Trench-Typ-MOSFETs in Massenproduktion herstellte, die den Wirkungsgrad weiter verbessern und gleichzeitig den Stromverbrauch im Vergleich zu bisherigen SiC-MOSFETs senken.
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
105.0
Drain Current[A]
24.0
Total Power Dissipation[W]
134
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- High efficiency 4pin package
- Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'