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Halbleiterbauelemente

ROHM ist in zwei Geschäftsbereichen tätig, die mit diskreten Halbleiterbauelementen zu tun haben: Leistungsbauelemente und Kleinsignalbauelemente. Es wird erwartet, dass Leistungsbauelemente in Zukunft wachsen werden, da sie wesentlich zur Energieeinsparung und Miniaturisierung beitragen können. Insbesondere im Bereich der SiC-Leistungshalbleiter, die zu einer kohlenstoffarmen Gesellschaft beitragen können, streben wir ein System an, das Produkte aus Wafer-Materialien bereitstellen kann, um den höchsten Anteil in der Branche zu erreichen und nicht nur zum Umsatz, sondern auch zum Umweltschutz beizutragen. Im Geschäft mit Kleinsignalbauelementen werden wir durch weitere Produktivitätsverbesserungen weitere Gewinne erzielen und den führenden Marktanteil halten.

Umsatz nach Segment

Geschäftsjahr endet im März

  • ■Halbleiterbauelemente

    • 2,122Mrd. Yen
    • 41.8%
    • ■ICs 2,337Mrd. Yen 46.0%
    • ■Module 343Mrd. Yen 6.8%
    • ■Andere 276Mrd. Yen 5.4%

Umsatz

5,078Mrd. Yen

Umsatz nach Anwendung

Geschäftsjahr endet im März

  • Kraftfahrzeuge

    45.2%

  • Industrieanlagen

    24.0%

  • Verbraucher

    17.0%

  • Telekommunikation

    2.6%

  • Computer und Speicher

    11.3%

Halbleiterbauelemente Nettoumsatz

2,122Mrd. Yen

Fokusprodukte des Halbleiterbauelemente von ROHM

Kleinsignalbauelemente

Kleinsignalbauelemente

Universeller Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Weltweit die Nummer 1 auf dem Markt.

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente sind Kernkomponenten von Strom- und Stromversorgungssystemen sowie Wechselrichtern. Sie werden hauptsächlich für die Leistungsumwandlung verwendet und schließen Silizium-Leistungstransistoren, Leistungsdioden und IGBTs ein.

Details zu Leistungstransistoren

SiC-Leistungsbauelemente

SiC-Leistungsbauelemente

SiC-Leistungsbauelemente bieten ausgezeichnete Wärmebeständigkeit und Leistung bei hohen Spannungen. Es sind verlustarme Halbleiter, die zur Verbreitung von Elektrofahrzeugen (xEVs), zu mehr Energieeffizienz und zu einer dekarbonisierten Gesellschaft beitragen werden - sie wecken daher bei der nächsten Generation hohe Erwartungen.

Details zu SiC-Leistungshalbleiter

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Auf dem Weg zu einer nachhaltigen Gesellschaft

Neben SiCs tragen auch GaN-Bauelemente, deren Portfolio bei ROHM weiter ausgebaut wird, ebenfalls zu Energieeinsparungen bei.

Mit dem zunehmenden Einsatz von IoT-Objekten haben Themen wie die Verbesserung der Energieumwandlungseffizienz oder die Verkleinerung von Einheiten (z.B. Serversysteme) stark an gesellschaftlicher Bedeutung gewonnen. GaN-Bauteile haben im Vergleich zu Silizium-Bauteilen einen niedrigeren Einschaltwiderstand sowie eine hervorragende Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung und werden daher voraussichtlich bei verschiedenen Schaltnetzteilen zu einem niedrigeren Stromverbrauch beitragen. Aus diesem Grund entwickelt ROHM GaN-Bauelemente für den Einsatz in verschiedenen Stromversorgungsschaltungen. Zur Entwicklung und Massenproduktion von Halbleiter-GaN-Leistungsbauelementen der nächsten Generation begann ROHM im April 2022 eine strategische Partnerschaft mit Delta Electronics, einem weltweit tätigen Hersteller von Stromversorgungen. Darüber hinaus plant ROHM, so früh wie möglich mit der Massenproduktion von GaN-IPMs mit integrierten Analog-ICs zu beginnen und so seine Produktpalette zu erweitern.

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