Nch 600V 20A Leistungs-MOSFET mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Diode - R6020JNZ4

Der R6020JNZ4 ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Sperrverzögerungszeit (trr), der für Schaltanwendungen geeignet ist.
PrestoMOS™ Serie, Die R60xxJNx Serie erhöht die Designflexibilität bei gleichzeitiger Beibehaltung der branchenweit schnellsten Reverse-Recovery-Zeit (trr), optimiert für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten, wie Kühlschränken und Klimaanlagen (ACs).

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | R6020JNZ4C13
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247
Einheitenmenge | 600
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-247AD

Package Size[mm]

21.07x15.94 (t=5.02)

Applications

Motor, Inverter

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

20.0

RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.18

Total gate charge Qg[nC]

45.0

Power Dissipation (PD)[W]

252.0

Drive Voltage[V]

15.0

Mounting Style

Leaded type

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Fast reverse recovery time (trr)
  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Drive circuits can be simple
  • Pb-free plating ; RoHS compliant