R6050JNZ
Nch 600V 50A Leistungs-MOSFET mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Diode
R6050JNZ
Nch 600V 50A Leistungs-MOSFET mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Diode
Der R6050JNZ ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Sperrverzögerungszeit (trr), der für Schaltanwendungen geeignet ist.
PrestoMOS™ Serie, Die R60xxJNx Serie erhöht die Designflexibilität bei gleichzeitiger Beibehaltung der branchenweit schnellsten Reverse-Recovery-Zeit (trr), optimiert für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten, wie Kühlschränken und Klimaanlagen (ACs).
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-3PF
Applications
Motor, Inverter
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
50
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)
0.064
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.064
Total gate charge Qg[nC]
120
Power Dissipation (PD)[W]
120
Drive Voltage[V]
15
Trr (Typ.)[ns]
120
Mounting Style
Leaded type
Bare Die Part Number
Available: K7819
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
15.5x26.5 (t=5.7)
Eigenschaften:
- Fast reverse recovery time (trr)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Pb-free plating ; RoHS compliant
