BD7682FJ-LB
Rauscharmer, quasi-resonanter DC/DC-Kontrollwandler-IC für AC/DC-Wandler

Der BD7682FJ-LB ist ein quasi-resonant gesteuerter DC/DC-Wandler, optimiert für Produkte mit elektrischer Steckdose. Der quasi-resonante Betrieb ermöglicht Soft-Schaltung und hilft die EMI zu verringern, wobei ein externer MOSFET-Regler und ein Stromerfassungswiderstand ein flexibleres Design bieten. Weitere Merkmale sind eine Brown-Ausgangsfunktion, die Eingangsspannung zwecks Systemoptimierung überwacht und ein Burst-Modus, der den Strom während bei leichter Belastung reduziert. Mehrere Schutzfunktionen bieten mehr Zuverlässigkeit, darunter Soft-Start, Burst-Modus, Strombegrenzung pro Zyklus und Überspannungs-/Überlastschutz. Zur Optimierung des SiC MOSFET-Treibers ist ein Gate-Klemmenschaltkreis integriert.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BD7682FJ-LBE2
Status | Empfohlen
Gehäuse | SOP-J8
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

AC Monitor Function

No

BR UVLO

Yes

Current Detection Resistors

External

Dynamic Over Current Detection

No

External LATCH Function

No

FB OLP

Auto Restart

Frequency Reduction Function

Yes

VH Terminal UVLO

No

ZT OVP

Latch

FET

External

Controller Type

QR

Vin1(Min.)[V]

15

Vin1(Max.)[V]

27.5

SW Frequency (Max.)[kHz]

120

VCC OVP

Latch

BR PIN

Yes

Channel

1

Light Load mode

Yes

EN

No

Soft Start

Yes

Thermal Shut-down

Yes

Under Voltage Lock Out

Yes

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

105

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1.65)

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Eigenschaften:

  • Pin 8 : SOP-J8 Package (6.00mm × 4.90mm : 1.27mm pitch [TYP] )
  • Quasi-resonant type (low EMI)
  • Frequency reduction mode
  • Low current consumption (19µA), during standby
  • Low current consumption when no load (burst operation when light load)
  • Maximum frequency (120kHz)
  • CS Pin Leading-Edge Blanking
  • VCC UVLO (Under Voltage Drop Out protection)
  • VCC OVP (Over Voltage Protection)
  • Per-cycle over-current protection circuit
  • Soft start
  • ZT trigger mask function
  • Voltage protection function (brown out)
  • ZT OVP (Over Voltage Protection)
  • Gate-clamp circuit

Unterstützende Informationen

 

Übersicht

package

SiC rückt dank seiner überlegenen Materialeigenschaften gegenüber Silizium als ein Verbindungshalbleiter der nächsten Generation in den Fokus des Interesses.
Bei Hilfsstromversorgungen, die in Hochspannungs- und Hochleistungsindustrieanlagen Einsatz finden, werden in der Regel Silizium-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) mit Hochspannung (>1000V) verwendet. Durch ihren Austausch durch SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren kann die Wärmeerzeugung erheblich reduziert werden, wodurch Außenteile wie Kühlkörper überflüssig werden.
ROHM hat vor kurzem seine beachtliche Produktpalette erweitert. Neu im Angebot sind 1700V SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren zusammen mit einer Evaluierungskarte, mit der Vorgänge wie Leistungsüberprüfung und Anwendungsentwicklung vereinfacht werden.

Evaluierungskarte

Als umfangreicher Hersteller von Halbleitern bietet ROHM nun ICs, die für den Einsatz in SiC-Geräten optimiert sind, einschließlich der BD7682FJ-LB DC/DC Wandler-Steuer-IC, welche für eine Leistungsmaximierung der SiC-Hochleistungs-MOSFETs bestimmt sind, wie z.B. SCT2H12NZ. Ebenso erhältlich ist nun eine Evaluierungskarte (BD7682FJ-LB-EVK-402), die beide Produkte miteinander verbindet.

Stromversorgung-Evaluierungskarteï BD7682FJ-LB-EVK-402ï

Hauptmerkmale 1:Optimiert für Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen.

Verglichen mit 1500V Silizium-MOSFETs, die bei Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen verwendet werden, bieten die hochleistenden SiC-MOSFETs aus dem Hause ROHM 8x geringere On-Widerstandswerte (1.15Ω) sowie eine Stehspannung in Höhe von 1700V. Zusätzlich bietet das Paket TO-3PFM die erforderliche Kriechstrecke (d.h. die gemessene Entfernung entlang der Oberfläche des Isolators), die für Industrieanlagen vorgeschrieben ist.

Vergleich von On-Widerstandswerten Anwendungsbeispiel

Hauptmerkmale 2:Durch die Kombination mit dem geeigneten IC von ROHM erzielen Sie eine sogar noch höhere Effizienz

AC/DC-Wandler - Effizienzvergleich: Si gegenüber SiC

Durch den Einsatz der BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuer-IC wird der Wirkungsgrad um bis zu 6% optimiert und gleichzeitig die erzeugte Wärme reduziert. Hierdurch lässt sich die Größe der wärmeableitenden Komponenten reduzieren.

Produktpalette

Teilenr.GehäusePolaritätVDSSIDPD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
NEW SCT2H12NZ

TO-3PFMTO-3PFM

Nch 1700V 3,7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
SCT2H12NY

TO-3PFMTO-268-2L
In
Bearbeitung

4A44W
SCT2750NY5,9A57W0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆:In Entwicklung

Reference Design / Application Evaluation Kit

 
    • Evaluation Board - BD7682FJ-EVK-301
    • The AUX board is able to operate with both AC and DC input voltages. It is therefore possible to derive the power directly from the grid or from the system DC link

  • User Guide
    • Evaluation Board - BD7682FJ-LB-EVK-302
    • The BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.

  • User Guide
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