ROHM Parametric

IPDs

Intelligente Leistungsschalter aus der IPD-Serie (Intelligent Power Device) von ROHM sind als Low-Side- oder High-Side-Schalt-ICs erhältlich, um Ihnen das richtige Bauteil für Ihre Anwendung zu liefern. Das Design dieser Universal-Schalter für die Automobilindustrie integriert einen MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und mehrere Schutzschaltungen auf einem einzigen Chip. Dies bietet einen verbesserten Schutz gegen Fälle von Überhitzung, Überspannung, Überstrom und Lastkurzschluss und gewährleistet die Eignung für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, einschließlich widerstandskapazitätsbezogener induktiver Last, die in Maschinenräumen und -abteilen installiert sind.

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* Gen (Generation) means the IPD development process generation.
Family Function Generation Output Channel RDS (ON) (Typ.)[mΩ]
9-25 40-90 140-180 250-
High Side Current Sense 3rd Gen 1ch 3 Products 3 Products   
3rd Gen 2ch Under Development   
Standard / Error Flag 2nd Gen 1ch   4 Products  
2nd Gen 2ch   1 Product     
Variable Overcurrent Limit 2nd Gen 1ch   5 Products   
2nd Gen 2ch   3 Products     
Low Side Standard / Error Flag 2nd Gen 1ch 4 Products 5 Products 4 Products 4 Products
2nd Gen 2ch   5 Products 2 Products 2 Products
Slew Rate Control 2nd Gen 1ch   1 Product     
Multi Channel 2nd Gen 4ch~       6 Products
X X

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      Unterstützende Informationen

       

      IPD Functions

      Current SenseHigh accuracy output current monitor

      1ch/2ch High Side Switch
      BV1HBxxxEFJ-C(1ch) / (Under Development)BV2HBxxxEUV-C(2ch)

      IPD Functions:Current Sense

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      Variable Overcurrent LimitOptimal protection tailored to the load

      Slew Rate ControlReduces switching loss and noise

      1ch Low Side Switch 
      BV1LFxxxEFJ-C(Low Slew Rate)

      IPD Functions:Variable Slew Rate

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      Multi ChannelIdeal for driving multiple loads

      Regarding TDACC™

      TDACC™ is a registered trademark of ROHM Co., Ltd. ROHM’s original circuit and device technology achieves both heat suppression and low ON resistance by optimally controlling the number of current-carrying channels when the power MOSFETs in the IPD generate heat due to back EMF during the OFF state, which is difficult to achieve in a compact size.

      TDACC™