Chipaufbau einer Fabriy-Perot-LD

LD-Chipaufbau

Die Fabry-Perot-LD besteht aus einer aktiven Schicht (lichtemittierende Schicht), die zwischen der N/P-Ummantelung und zwei Spiegeln, die als Endflächen dienen, angeordnet ist.

Da es sich bei der Ummantelung um ein Material mit einer Bandlücke handelt, die größer ist als die der aktiven Schicht, werden die Ladungsträger (Elektronen und Löcher) energetisch eingegrenzt. Da der Brechungsindex kleiner als der der aktiven Schicht ist, wird das Licht in der aktiven Schicht eingefangen (gleiches Prinzip wie bei Glasfaserlösungen).

Sowohl die aktive Schicht als auch die Ummantelung werden durch epitaktisches Wachstum erzeugt, das auf Nanoebene gesteuert werden kann. Der Streifen (Elektrode) wird mittels Fotolithographie hergestellt, die in der Mikronordnung gesteuert werden kann.

[LD-Chipaufbau]

LD-Chipaufbau

Fabry-Perot-LD:

Verfügt über den einfachsten Aufbau für eine Laserdiode.

Epitaktisches Wachstum:

Eine Dünnschicht-Kristallzüchtungstechnik, bei der das Wachstum auf einem Kristall durchgeführt wird. Der Kristall dient als Substrat, wobei die Kristallanordnung mit der Kristallebene des Substrats ausgerichtet wird.

Fotolithographie:

Ein Verfahren zur Erzeugung von Mustern aus belichteten und unbelichteten Abschnitten durch Belichtung einer mit lichtempfindlichem Material beschichteten Oberfläche.