memory_what2
Merkmale von Halbleiterspeichern
DRAM
Speicherzellenstruktur
Besteht aus einem Transistor und einem Kondensator
![Besteht aus einem Transistor und einem Kondensator](/documents/4392907/4872973/what2_01.jpg/07c91ef6-ceaa-48f6-b32b-a559e81821a7?t=1581577366607)
Datenschreibmethode
[Bei „1"]
- Potenzial der Wortleitung ist hoch
- Potenzial der Bitleitung ist hoch
- Potenzial der Wortleitung ist niedrig
![1状態](/documents/4392907/4872973/what2_02.jpg/bccb15bc-22b9-4092-a565-1ae392937c9c?t=1581577366010)
Der Zustand „1"
![0状態](/documents/4392907/4872973/what2_03.jpg/11312adc-0c96-4082-a574-194942a00d04?t=1581577365323)
Der Zustand „0"
SRAM
Speicherzellenstruktur
- Konfiguration mit 6 Transistorzellen
- Konfiguration mit 4 Transistorzellen (Zellentyp mit hochohmiger Last)
![Typen mit geringer Leistung und hoher Dichte](/documents/4392907/4872973/what3_01.jpg/1b4dc621-174d-4b4e-8716-5187855e4ef2?t=1581577364697)
Typ mit geringer Leistung
Typ mit hoher Dichte
Daten schreib methode
[Bei „1"]
- Potenzial der Wortleitung ist hoch
- Weisen Sie der Bitleitung ein Potenzial zu (D=Niedrig, D=Hoch)
→ Der Zustand des Flipflops - Potenzial der Wortleitung ist niedrig
- Word Line potential is Low
Datenlesemethode
[Bei „1"]
- Potenzial der Wortleitung ist AUS
- Vorladung der Bitleitung (dasselbe Potenzial wie D, D)
- Potenzial der Wortleitung ist hoch
- Ist die Bitleitung niedrig, sind die Bedingungen hoch
- Verstärkt durch Sensorverstärker
![1状態と0状態の比較](/documents/4392907/4872973/what3_02.jpg/8c8fa7e5-1711-4ce5-a6a7-07c6dd478545?t=1581577364117)
„0", „1" von Flipflop-Schaltung gespeichert
Mask ROM
Mask ROM – Speicherzellenkonfiguration
- Übernimmt eine NAND-Struktur für erhöhte Integration (1 Transistorzelle)
![Mask ROM – Speicherzellenkonfiguration](/documents/4392907/4872973/what4_01.jpg/cc60c75a-8c83-4f02-97a0-77dcfc1a02db?t=1581577363563)
Datenschreibmethode
Schreiben der Informationen im Wafer-Prozess
- „1": Ionen in Transistor implantiert
- „0": Keine Ionenimplantation
Datenlesemethode
- Wortleitungspotenzial der Lesezelle ist 0V
- Wortleitungspotenzial der Nicht-Lese-Zelle ist VCC
- → Spannung wird an die Bitleitung gelegt
- „1" wird festgelegt, wenn Strom fließt
EEPROM
EEPROM-Speicherzellenkonfiguration
・Besteht aus zwei Transistorzellen
![Besteht aus zwei Transistorzellen](/documents/4392907/4872973/what5_01.jpg/2be5eb04-a4cb-49a5-9fe4-f6193080e5d5?t=1581577362947)
Datenschreibmethode
![Datenlesemethode](/documents/4392907/4872973/what5_02.jpg/c5244a76-477e-4fb4-93dc-7aa74301cc06?t=1581577362370)
Datenlöschmethode
![Datenlöschmethode](/documents/4392907/4872973/what5_03.jpg/4af01e58-9a00-4dd0-8787-68178cf887f1?t=1581577361593)
Flash-Speicher
Flash-Speicherzellenkonfiguration
NAND-Typ
![NAND-Typ](/documents/4392907/4872973/what6_01.jpg/57f71ac5-f263-4e62-b423-5f361da5ab9d?t=1581577360980)
4F2-Bereich pro Bit, wenn die Minimumregel F lautet
NOR-Typ
![NOR-Typ](/documents/4392907/4872973/what6_02.jpg/e8f3a194-7f42-4e50-bb30-81a7d39bb8e6?t=1581577360253)
10F2-Bereich pro Bit, wenn die Minimumregel F lautet
Datenschreibmethode
![Datenlesemethode](/documents/4392907/4873117/what6_03.jpg/726c1aba-a42f-4138-b2fe-b3a49b5540ca?t=1581577359650)
Datenlöschmethode
![Datenlöschmethode](/documents/4392907/4872973/what6_04.jpg/13d2614f-b8e9-4bac-bcd4-df41fd646961?t=1581577359030)