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Was ist ein Halbleiterspeicher?

Geräteprinzip (SRAM)

■Speicherzellenstruktur
  • Konfiguration mit 6 Transistorzellen
  • Konfiguration mit 4 Transistorzellen (Zellentyp mit hochohmiger Last)
Typen mit geringer Leistung und hoher Dichte

Typ mit geringer Leistung

Typ mit hoher Dichte

■Datenschreibmethode

[Bei „1"]

  1. Potenzial der Wortleitung ist hoch
  2. Weisen Sie der Bitleitung ein Potenzial zu (D=Niedrig, D=Hoch)
    → Der Zustand des Flipflops
  3. Potenzial der Wortleitung ist niedrig
■Datenlesemethode

[Bei „1"]

  1. Potenzial der Wortleitung ist AUS
  2. Vorladung der Bitleitung (dasselbe Potenzial wie D, D)
  3. Potenzial der Wortleitung ist hoch
  4. Ist die Bitleitung niedrig, sind die Bedingungen hoch
  5. Verstärkt durch Sensorverstärker
1状態と0状態の比較

Der Zustand „1"

Der Zustand „0"

„0", „1" von Flipflop-Schaltung gespeichert