Merkmale von Halbleiterspeichern

DRAM

Speicherzellenstruktur

Besteht aus einem Transistor und einem Kondensator

Datenschreibmethode

[Bei „1"]

1. Potenzial der Wortleitung ist hoch
2. Potenzial der Bitleitung ist hoch
3. Potenzial der Wortleitung ist niedrig

Der Zustand „1"

Der Zustand „0"

SRAM

Speicherzellenstruktur

• Konfiguration mit 6 Transistorzellen
• Konfiguration mit 4 Transistorzellen (Zellentyp mit hochohmiger Last)

Daten schreib methode

[Bei „1"]

1. Potenzial der Wortleitung ist hoch
2. Weisen Sie der Bitleitung ein Potenzial zu (D=Niedrig, D=Hoch)
   → Der Zustand des Flipflops
3. Potenzial der Wortleitung ist niedrig
4. Word Line potential is Low

Datenlesemethode

[Bei „1"]

1. Potenzial der Wortleitung ist AUS
2. Vorladung der Bitleitung (dasselbe Potenzial wie D, D)
3. Potenzial der Wortleitung ist hoch
4. Ist die Bitleitung niedrig, sind die Bedingungen hoch
5. Verstärkt durch Sensorverstärker

„0", „1" von Flipflop-Schaltung gespeichert

Mask ROM

Mask ROM – Speicherzellenkonfiguration

• Übernimmt eine NAND-Struktur für erhöhte Integration (1 Transistorzelle)

Datenschreibmethode

Schreiben der Informationen im Wafer-Prozess

1. „1": Ionen in Transistor implantiert
2. „0": Keine Ionenimplantation

Datenlesemethode

1. Wortleitungspotenzial der Lesezelle ist 0V
2. Wortleitungspotenzial der Nicht-Lese-Zelle ist VCC
3. → Spannung wird an die Bitleitung gelegt
4. „1" wird festgelegt, wenn Strom fließt

EEPROM

EEPROM-Speicherzellenkonfiguration

・Besteht aus zwei Transistorzellen

Datenschreibmethode

Datenlöschmethode

Flash-Speicher

Flash-Speicherzellenkonfiguration

NAND-Typ

4F²-Bereich pro Bit, wenn die Minimumregel F lautet

NOR-Typ

10F²-Bereich pro Bit, wenn die Minimumregel F lautet

Datenschreibmethode

Datenlöschmethode