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Was ist ein Halbleiterspeicher?

Geräteprinzip (Mask ROM)

■Mask ROM – Speicherzellenkonfiguration
  • Übernimmt eine NAND-Struktur für erhöhte Integration (1 Transistorzelle)
Mask ROM – Speicherzellenkonfiguration
■Datenschreibmethode

Schreiben der Informationen im Wafer-Prozess

  • „1": Ionen in Transistor implantiert
  • „0": Keine Ionenimplantation
■Datenlesemethode

Wortleitungspotenzial der Lesezelle ist 0V
Wortleitungspotenzial der Nicht-Lese-Zelle ist VCC
→ Spannung wird an die Bitleitung gelegt
„1" wird festgelegt, wenn Strom fließt